Samsung воспользовалась технологией 3D V-NAND в новых SSD 850 PRO

Samsung была представлена серия новых твердотельных накопителей, предназначенных клиентских систем — SSD 850 PRO. Основа устройств – уже знакомый нам по линейке SSD 845 EVO трехъядерный контроллер MEX, но решения SSD 850 PRO используют усовершенствованную тридцати двухслойную флеш-память 3D V-NAND против традиционных чипов MLC либо TLC NAND. Напомним, что месяц назад Samsung объявила о начале производства данного варианта типа памяти.

Методика V-NAND (она же Vertical NAND) предусматривает вертикальную  компоновку кристаллов флеш-памяти: благодаря этому можно получить трёхмерную структуру микрочипа и в несколько раз увеличить количество хранимых сведений на единицу площади. Примечательно, что надежность хранения информации в сравнении с обычными изделиями увеличивается в два – десять раз.

Заметим, что на протяжении последних нескольких лет в основе создания флеш-памяти лежали плоские однослойные структуры  с ячейками с плавающим затвором. Однако после того как был освоен процесс производства с топологическим размером менее двадцати нм появилась необходимость в новых технологических решениях, так как интерференция между соседними ячейками влечет за собой снижение надёжности NAND-памяти. Именно такая особенность поспособствовала тому, что новый тип памяти 3D V-NAND создается с соблюдением отлаженного 40-нм техпроцесса: когда тридцать две ячейки располагаются одна на другой, сводится к минимуму необходимость в переходе на более тонкий техпроцесс менее двадцати нм. К тому же многослойная память во многом способствует снижению себестоимости производства.

На объем отдельного тридцати двухслойного чипа Samsung 3D V-NAND приходятся непривычные восемьдесят шесть гигабит. В производстве была задействована новаторская технология 3D Charge Trap Flash. За предотвращение интерференции между рядом расположенными ячейками памяти в CTF-конструкции отвечает электрический заряд, который временно помещается в специально отведенную область ячейки, созданную из непроводящего нитрида кремния (в классических технологиях используется плавающий затвор полевого транзистора). Трехмерная структура слоев в CTF-конструкции сделал возможным значительное увеличение надежности и скорости памяти.