Samsung воспользовалась технологией 3D V-NAND в новых SSD 850 PRO
![Samsung воспользовалась технологией 3D V-NAND в новых SSD 850 PRO](https://webinfo.kz/wp-content/uploads/2017/06/webinfo.kz-19.06.2017-S5zsvvY17UURH3oteKR4tdrybJWTFNnx-298x168.jpg)
Samsung была представлена серия новых твердотельных накопителей, предназначенных клиентских систем — SSD 850 PRO. Основа устройств – уже знакомый нам по линейке SSD 845 EVO трехъядерный контроллер MEX, но решения SSD 850 PRO используют усовершенствованную тридцати двухслойную флеш-память 3D V-NAND против традиционных чипов MLC либо TLC NAND. Напомним, что месяц назад Samsung объявила о начале производства данного варианта типа памяти.
Методика V-NAND (она же Vertical NAND) предусматривает вертикальную компоновку кристаллов флеш-памяти: благодаря этому можно получить трёхмерную структуру микрочипа и в несколько раз увеличить количество хранимых сведений на единицу площади. Примечательно, что надежность хранения информации в сравнении с обычными изделиями увеличивается в два – десять раз.
Заметим, что на протяжении последних нескольких лет в основе создания флеш-памяти лежали плоские однослойные структуры с ячейками с плавающим затвором. Однако после того как был освоен процесс производства с топологическим размером менее двадцати нм появилась необходимость в новых технологических решениях, так как интерференция между соседними ячейками влечет за собой снижение надёжности NAND-памяти. Именно такая особенность поспособствовала тому, что новый тип памяти 3D V-NAND создается с соблюдением отлаженного 40-нм техпроцесса: когда тридцать две ячейки располагаются одна на другой, сводится к минимуму необходимость в переходе на более тонкий техпроцесс менее двадцати нм. К тому же многослойная память во многом способствует снижению себестоимости производства.
На объем отдельного тридцати двухслойного чипа Samsung 3D V-NAND приходятся непривычные восемьдесят шесть гигабит. В производстве была задействована новаторская технология 3D Charge Trap Flash. За предотвращение интерференции между рядом расположенными ячейками памяти в CTF-конструкции отвечает электрический заряд, который временно помещается в специально отведенную область ячейки, созданную из непроводящего нитрида кремния (в классических технологиях используется плавающий затвор полевого транзистора). Трехмерная структура слоев в CTF-конструкции сделал возможным значительное увеличение надежности и скорости памяти.
![Команда Team Vitality по FIFA объявляет о партнерстве c Philips Monitors Команда Team Vitality по FIFA объявляет о партнерстве c Philips Monitors](https://webinfo.kz/wp-content/uploads/2021/01/webinfo.kz-28.01.2021-oXn9Q7I4FerULSnsXhdic06u7Eww2D20-298x168.jpg)
Следуя стратегии развития в киберспорте, компания MMD от лица Philips Monitors заключила партнерство с Team Vitality и стала эксклюзивным...
Читать полностью![Новый 4K UHD монитор Philips 288E2UAE впечатляет цветами и скоростью передачи данных Новый 4K UHD монитор Philips 288E2UAE впечатляет цветами и скоростью передачи данных](https://webinfo.kz/wp-content/uploads/2021/02/webinfo.kz-4.02.2021-yiD1BlcZQROcmKy84xzaj2mVpHPKe7MH-298x168.jpg)
Новый монитор Philips 288E2UAE (28 дюймов/71,1 см) отображает 1,07 миллиарда цветов, оснащён возможностью сверхскоростной передачи данных по...
Читать полностью
Добавить комментарий