Crossbar была представлена рабочая технология для выпуска сверхплотной RRAM

Лето текущего года ознаменовалось тем, что ряды разработчиков памяти типа RRAM пополнились новым игроком в лице компании Crossbar. Сразу стоит отметить, что создание резистивной памяти осуществляется по единому образцу – она представляет собой две токопроводящие линии, лежащие крест-накрест, между которыми располагается вкрапление полупроводника, уровень сопротивления которого изменяется под воздействием, управляемым извне. Несмотря на то, что все это смотрится более чем просто, на практике получить стабильные характеристики ячеек памяти RRAM не очень уж и легко. Специалистами компании Crossbar был предложен собственный метод для выпуска RRAM, который они же не перестают совершенствовать в настоящее время.

Согласно заявлению разработчиков, ими была создана технология, позволяющая наладить выпуск сверхплотной резистивной памяти (создана по типу формата «почтовая марка», а размер составляет до одного терабайта). Для начала стоит отметить, что один транзистор схемы вполне может отвечать за управление огромного числа ячеек памяти – более двух тысяч штук. К тому же, был предложен элемент, позволяющий подавлять паразитные токи, которые являются неизбежными для многочисленных подключений к каждому из транзисторов. Заметим, что оба подхода позволяют приступить к созданию объемных многослойных или 3D-структур 3D RRAM.

Заметим, что в процессе опроса конкретной ячейки необходимо заблокировать все остальные пути, в противном случае есть риск паразитных утечек тока. С целью подавления утечек разработчиками был создан суперлинейный переключатель, управляемый полем и осуществляющий свою деятельность вблизи пороговых значений. Представители компании утверждают, что этот элемент является единственным в своем роде, и ему по силам блокировать паразитные токи в размере менее 0,1 нА. Здесь стоит отметить, что Crossbar говорит не о теоретических возможностях собственной новой технологии, а делится реальными показателями опытной 4-Мбит микросхемы.

Также нелишним будет сказать и о том, что число перезаписей опытного чипа RRAM способно достигать ста миллионов раз при условии, что температура будет составлять не более трехсот градусов по Цельсию. На переключение отводится не более 50 нс. Определение энергопотребления памяти может осуществляться еще на производственном этапе. Для этого стоит определить количество ячеек памяти, управлением которых может заниматься один транзистор. Одновременно с этим во внимание стоит брать тот факт, что чем больше число ячеек памяти будет на транзисторе, тем ниже окажется быстродействие. Кстати, опытный чип дает возможность говорить о скором появлении разработок и в коммерческом производстве. Тем не менее, сами разработчики решили на сегодняшний день воздержаться от каких-либо обещаний. Напомним, что не так давно стало известно, что в будущем году компания Crossbar приступить к лицензированию фирменной технологии для встраиваемого использования, а к самостоятельному выпуску микросхем памяти RRAM она приступит только в 2016 году.