Intel презентовала 14-нм процессоры семейства Broadwell

Эта неделя ознаменовалась официальным анонсом 14-нм процессоров Intel Broadwell. Представители компании сообщают о начале массового выпуска новых решений и поставках процессоров для OEM-производителей вычислительной техники. Стоит отметить, что разговор касается процессоров для систем два в одном и сверхтонких систем (трансформируемые ноутбуки и планшеты со съемными клавиатурами). Появление продукции на основе данных процессоров ожидается ближе к началу новогодних праздников. Что касается всех остальных категорий процессоров Broadwell (сюда же относятся и настольные версии с более производителями моделями для ноутбуков), то они выйдут на рынке не раньше будущего года. Первой к массовому выпуску решений с применением 14-нм техпроцесса стала компания Intel, однако трудности, вызванные внедрением новых норм, затормозили данный процесс на срок от шести до девяти месяцев.

В планах производителя процессоры Broadwell должны превратиться в основу всего спектра широкой продукции, начиная с серверных (облачных) платформ и заканчивая продуктами для подключения к глобальной сети. Благодаря техпроцессу с нормами производства 14 нм удалось добиться снижения значения TDP моделей без ущемления качества производительности приблизительно в два раза в сравнении с процессорами предшествующего поколения (Haswell-Y) – до пяти-шести ватт. Это повлечет за собой уменьшение сценарного потребления до трех ватт, или даже ниже. По крайней мере, такое утверждение справедливо в отношении процессоров с буквой Y (2-в-1 и  ультрабуки). Такое малое рабочее потребление спровоцирует широкое появление устройств без активного охлаждения.

К тому же, уменьшение масштаба техпроцесса производства сделало возможным уменьшение размеров кристалла до 16,5 х 30 х 1,04 мм против 24 х 40 х 1,5. Сообщается и о том, что технология создания вертикальных FinFET транзисторов во втором поколении претерпела некоторые изменения. Так, была видоизменена форма ребер, тогда как сами они стали выше. Это обусловлено тем, что сохранность производительности требует определенных рабочих токов. В виду того, что рабочая поверхность у FinFET – это верхняя грань и обе боковые грани, то в компании решили пойти на увеличение высоты ребра и одновременно уменьшить его толщину. В конечном итоге это повлекло за собой увеличение плотности размещения ребер (транзисторов).