Samsung организовала презентацию вертикальной NAND-флэш с трёхбитовой ячейкой

В рамках мероприятиях SSD Global Summit, которое состоялось месяц назад в Сеуле, стало известно о том, что в компании Samsung готовятся к началу производства памяти 3D V-NAND с трёхбитовой ячейкой. Проведение формального анонса памяти 3D V-NAND TLC имело место на днях, тогда как местом для презентации было выбрано другое отраслевое мероприятие — Flash Memory Summit. К поставкам новой памяти в компании приступили неделю назад. На данный момент можно смело рассчитывать на то, что выпуск твердотельного накопителя, в основе которого будет лежать память 3D V-NAND TLC компания Samsung наладить уже в течение текущего месяца.

Речь касается 128-Гбит микросхем, состоящих из тридцати двух плотно расположенных слоев. В сравнении с планарными микросхемами объем чипов увеличился вдвое, тогда как уровень потребления удалось снизить на сорок процентов. Стоит заметить, что с момента, когда была анонсирована «вертикальная» флэш-память Samsung из двадцати четырех слоев с двухбитововй ячейкой, состоялся всего-навсего один год. К слову, компания планируется выпустить  3D V-NAND на двести пятьдесят шесть гигабайт также спустя один год. Переход на стослойную структуру сделает возможным выпуск 1-Тбит микросхемы памяти. Нелишним будет сказать и о том, что у многослойной памяти нормы производства выше, чем у однослойного планарного аналога. Так, вместо плавающих затворов специалисты компании  Samsung решили прибегнуть к помощи 45-нм техпроцесса и ячейки с ловушкой заряда. Это позволит добиться значительного повышения устойчивости ячеек к износу.

Также в южнокорейском гиганте намерены углубиться и в разработку контроллеров для твердотельного жесткого диска. В первую очередь контроллерам предстоит научиться справляться с задачами более широкого спектра. Компания планируется создать т.н. умные контроллеры, которые будут согласовывать собственные действия с текущими компьютерными операциями и задачами, связанными с хранением информации (точная подстройка под нагрузку). Вдобавок ко всему, необходимо будет добиться и того, чтобы контроллеры могли разгружать центральные процессоры. Основная идея сводится к тому, что пиковые нагрузки случаются не так часто, а потому простаивающие ресурсы контроллеров можно наполнять полезной нагрузкой для работы с приложениями. Беря во внимание тысячи накопителей в системах хранения информации, это может сыграть роль неплохого подспорья для ускорения процесса вычислений.