4 ГГц видеопамять от Samsung

Samsung Electronics, крупнейший в мире производитель памяти, представил свой новый чип памяти GDDR4.

Он работает со скоростью на 40% большей, чем ожидалось от стандарта GDDR4 изначально, но при этом используется больше энергии. Экспериментальные 512 Мб чипы были произведены по 80 нм техпроцессу и рассчитаны на напряжение питания 1.4-2.1 В. Пропускная способность 4 гигабита в секунду была достигнута при работе устройства на 2 В, что выше, чем у текущего поколения GDDR4 чипов, которые официально могут работать на 1.9 В.